[发明专利]功率半导体模块有效
| 申请号： | 201080066906.3 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102906874A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 畑井彰;田村静里 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在绝缘性基板（11）的正面安装晶体管芯片（15），该安装晶体管芯片（15）由形成有上桥臂用晶体管元件（M1、M3、M5）的宽带隙半导体形成，在绝缘性基板（11）的背面安装晶体管芯片（16），该晶体管芯片（16）由形成有下桥臂用晶体管元件（M2、M4、M6）的宽带隙半导体形成。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，其特征在于，具有：第1绝缘性基板，其在两个表面上形成有导体图案；第1晶体管元件，其由宽带隙半导体形成，安装在所述第1绝缘性基板的正面；以及第2晶体管元件，其由宽带隙半导体形成，安装在所述第1绝缘性基板的背面。
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