[发明专利]重置相变存储器位有效
| 申请号： | 201080062218.X | 申请日： | 2010-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102714056A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | R·K·道奇;T·兰特里 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在确定重置脉冲已经达到其编程阈值电压电平之后，可以进行较低的电压检验。这之后可以进行另一个编程步骤，以增大编程阈值电压。通过避免在所述单元已经达到其期望的阈值电平之后，对于后续检验的需要，在一些实施例中可以减少读取干扰。在一些实施例中，通过使用较低电压，不需要将较高的偏置电压施加到取消选择的单元，其中将较高的偏置电压施加到取消选择的单元可以导致电流泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 重置 相变 存储器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在将相变存储器单元编程为其最终的编程阈值电压电平之后，禁止对所述相变存储器单元进行检验。
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