[发明专利]重置相变存储器位

说明书

背景技术

本发明大体涉及半导体存储器。

相变存储器装置将相变材料（即可以在大体非晶质状态与大体结晶质状态之间电切换的材料）用作电子存储器。一种类型的存储器元件利用相变材料，该相变材料在一种应用中可以在大体非晶质局部秩序与大体结晶质局部秩序之间或者在跨越完全非晶质状态与完全结晶质状态之间的整个频谱的局部秩序的不同的可检测状态之间进行电切换。

附图说明

图1是本发明一个实施例的电路图；

图2是在图1中示出的读取/写入电路的电流源的电路图；

图3是根据本发明一个实施例的重置命令和产生的初始使能电流镜信号的电流相对于时间的曲线；

图4是本发明一个实施例的流程图；

图5是本发明一个实施例的流程图；

图6是根据本发明一个实施例的系统示图；

图7是根据一个实施例的可能位的百分比相对于阈值电压的假想图；以及

图8是一个实施例的流程图。

具体实施方式

参照图1，在一个实施例中，存储器100可以包括根据本发明一个实施例的以行WL和列BL布置的存储器单元MC的阵列。虽然说明了相对较小的阵列，但是本发明绝不限制于阵列的任何具体尺寸。虽然在这里使用术语“行”、“字线”、“位线”和“列”，但是它们仅意味着说明性的而对于感测阵列的规格和类型不是限制性的。

存储器装置100包括典型地布置成阵列105的多个存储器单元MC。矩阵105中的存储器单元MC可以布置为具有与每个矩阵行相关联的字线WL1-WLm和与每个矩阵列相关联的位线BL1-BLn的m行和n列。

在一个实施例中，存储器装置100也可以包括许多包括电源电压线Vdd和分配地电压的地电压线GND的辅助线，该电源电压线Vdd通过包括存储器装置100的芯片来分配电源电压Vdd。高电压电源线Va可以提供由集成在同一芯片上或外部供给到存储器装置100的装置（例如，在附图中未示出的电荷泵升压器）产生的相对高的电压。

单元MC可以是包括相变存储器单元的任何存储器单元。相变存储器单元的示例包括那些使用硫族化物存储器元件18a和串联耦合到装置18a的存取、选择或阈值装置18b。阈值装置18b可以是可由硫族化物合金制造的双向阈值开关，该硫族化物合金不展现出从非晶质至结晶质的相变并且经受仅在存在保持电压的情况下持续的导电性的快速的、电场引起的变化。

阵列105中的存储器单元MC连接到字线WL1-WLm中的相应的一根和位线BL1-BLn中的相应的一根。更具体地，存储元件18a可以具有连接到相应的位线BL1-BLn的第一端子和连接到相关联装置18b的第一端子的第二端子。装置18b可以具有连接到字线WL1-WLm的第二端子。或者，存储元件18a可以连接到相应的字线WL1-WLm，并且与存储元件18a相关联的装置18b可以连接到相应的位线BL1-BLn。

通过选择相应的行和列对（即，通过选择相应的字线和位线对）对阵列105内的存储器单元MC进行存取。字线选择器电路110和位线选择器电路115可以根据行地址二进制代码RADD和列地址二进制代码CADD（分别为例如由存储器装置100从存储器外部的装置（例如，微处理器）所接收的存储器地址二进制代码ADD的一部分）来执行字线的选择和位线的选择。字线选择器电路110可以对行地址代码RADD进行解码并且选择由所接收的特定行地址代码RADD识别的字线WL1-WLm中的相应的一根。位线选择器电路115可以对列地址代码CADD进行解码并且选择相应的位线，或者更一般地选择位线BL1-BLn的相应的位线包（packet）。例如，所选择的位线的数量取决于存储器装置100上的突发读取操作期间可以读取的数据字的数量。位线BL1-BLn可以由所接收的特定列地址代码CADD来识别。

位线选择器电路115与读取/写入电路120接口连接。读取/写入电路120使能期望的逻辑值到所选择的存储器单元MC内的写入并且读取其中当前存储的逻辑值。例如，读取/写入电路120包括感测放大器以及比较器、参考电流/电压发生器和电流脉冲发生器，以读取存储在存储器单元MC中的逻辑值。