[发明专利]光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法有效
申请号: | 201080060293.2 | 申请日: | 2010-12-23 |
公开(公告)号: | CN102687291A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 赖纳·布滕戴奇;亚历山大·沃尔特;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;泷哲也;胡贝特·迈瓦尔德 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24;H01L33/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明说明了一种光电半导体芯片(100),其具有第一半导体层序列(1)和第二半导体层序列(2),所述第一半导体层序列包括多个微型二极管(11),所述第二半导体层序列包括有源区(12),其中,第一半导体层序列(1)和第二半导体层序列(2)基于氮化物-化合物半导体材料,所述第一半导体层序列(1)在生长方向上位于第二半导体层序列(2)之前,并且所述微型二极管(11)形成对有源区(12)的ESD(静电放电)保护。 | ||
搜索关键词: | 光电 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
光电半导体芯片(100),具有:‑第一半导体层序列(1),所述第一半导体层序列包括多个微型二极管(11);和‑第二半导体层序列(2),所述第二半导体层序列包括有源区(12),其中‑所述第一半导体层序列(1)和所述第二半导体层序列(2)基于氮化物‑化合物半导体材料,‑所述第一半导体层序列(1)在生长方向上位于所述第二半导体层序列(2)之前,‑所述微型二极管(11)形成对所述有源区(12)的静电放电保护,并且‑所述微型二极管(11)中的大部分具有同种的电学性质,尤其同种的击穿特性。
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