[发明专利]光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201080060293.2 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102687291A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 赖纳·布滕戴奇;亚历山大·沃尔特;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;泷哲也;胡贝特·迈瓦尔德 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明说明了一种光电半导体芯片（100），其具有第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2），所述第一半导体层序列包括多个微型二极管（11），所述第二半导体层序列包括有源区（12），其中，第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2）基于氮化物-化合物半导体材料，所述第一半导体层序列（1）在生长方向上位于第二半导体层序列（2）之前，并且所述微型二极管（11）形成对有源区（12）的ESD（静电放电）保护。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
光电半导体芯片（100），具有：‑第一半导体层序列（1），所述第一半导体层序列包括多个微型二极管（11）；和‑第二半导体层序列（2），所述第二半导体层序列包括有源区（12），其中‑所述第一半导体层序列（1）和所述第二半导体层序列（2）基于氮化物‑化合物半导体材料，‑所述第一半导体层序列（1）在生长方向上位于所述第二半导体层序列（2）之前，‑所述微型二极管（11）形成对所述有源区（12）的静电放电保护，并且‑所述微型二极管（11）中的大部分具有同种的电学性质，尤其同种的击穿特性。
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