[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201080036400.8 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102576786A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 加藤亮;藤金正树;井上彰;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化镓系化合物半导体发光元件，在六方晶纤锌矿结构的(10-10)m面生长p-GaN层，将作为p型掺杂物的Mg浓度在1.0×1018cm-3到9.0×1018cm-3的范围内进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系化合物半导体发光元件，具有：n型氮化镓系化合物半导体层；p型氮化镓系化合物半导体层；位于上述n型氮化镓系化合物半导体层与上述p型氮化镓系化合物半导体层之间的活性层；位于上述p型氮化镓系化合物半导体层与上述活性层之间的p型溢出抑制层；以及与上述p型氮化镓系化合物半导体层接触的p型电极，在上述氮化镓系化合物半导体发光元件中，上述p型氮化镓系化合物半导体层是m面半导体层，在上述p型氮化镓系化合物半导体层的活性层侧设置有掺杂了浓度在1.0×1018cm‑3以上且9.0×1018cm‑3以下的范围内的Mg的区域。
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