[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，具有：

n型氮化镓系化合物半导体层；

p型氮化镓系化合物半导体层；

位于上述n型氮化镓系化合物半导体层与上述p型氮化镓系化合物半导体层之间的活性层；

位于上述p型氮化镓系化合物半导体层与上述活性层之间的p型溢出抑制层；以及

与上述p型氮化镓系化合物半导体层接触的p型电极，

在上述氮化镓系化合物半导体发光元件中，

上述p型氮化镓系化合物半导体层是m面半导体层，

在上述p型氮化镓系化合物半导体层的活性层侧设置有掺杂了浓度在1.0×10¹⁸cm^-3以上且9.0×10¹⁸cm^-3以下的范围内的Mg的区域。

2.根据权利要求1所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

在上述p型溢出抑制层中掺杂了浓度在1.0×10¹⁸cm^-3以上且9.0×10¹⁸cm^-3以下的范围内的Mg。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

在上述p型氮化镓系化合物半导体层中，距离上述活性层的距离为45nm以下的部分中的Mg浓度在1.0×10¹⁸cm^-3以上且9.0×10¹⁸cm^-3以下的范围内。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

还具有位于上述活性层与上述p型溢出层之间的未掺杂间隔层。

5.根据权利要求1至3的任意一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

上述活性层与上述p型溢出层相接。

6.根据权利要求1至5的任意一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

上述p型氮化镓系化合物半导体层是GaN层。

7.根据权利要求1至6的任意一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

在上述p型氮化镓系化合物半导体层的上述p型电极侧设置有掺杂了浓度高于9.0×10¹⁸cm^-3的Mg的区域。

8.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，具有：

n型氮化镓系化合物半导体层；

p型氮化镓系化合物半导体层；

位于上述n型氮化镓系化合物半导体层与上述p型氮化镓系化合物半导体层之间的活性层；以及

与上述p型氮化镓系化合物半导体层接触的p型电极，

在上述氮化镓系化合物半导体发光元件中，

上述p型氮化镓系化合物半导体层是m面半导体层，

在上述p型氮化镓系化合物半导体层的活性层侧设置有掺杂了浓度在1.0×10¹⁸cm^-3以上且9.0×10¹⁸cm^-3以下的范围内的Mg的区域。

9.根据权利要求8所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

在上述p型氮化镓系化合物半导体层中，距离上述活性层的距离为45nm以下的部分中的Mg浓度在2.0×10¹⁸cm^-3以上且8.0×10¹⁸cm^-3以下的范围内。

10.根据权利要求8或9所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

还具有位于上述活性层与上述p型氮化镓系化合物半导体层之间的未掺杂间隔层。

11.根据权利要求8至10的任意一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

上述活性层与上述p型氮化镓系化合物半导体层相接。

12.根据权利要求8至11的任意一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，

上述p型氮化镓系化合物半导体层是GaN层。