[发明专利]半导体衬底的再加工方法及SOI衬底的制造方法

摘要

使用包含用作使半导体氧化的氧化剂的物质、溶解半导体的氧化物的物质、以及用作对于半导体的氧化及半导体的氧化物的溶解的减速剂的物质的混合溶液选择性地去除残留在分离之后的半导体衬底周围部的脆化层及半导体层。注意：沿通过利用离子注入装置注入由氢气体生成的H+离子而形成在半导体衬底的脆化层将半导体衬底和半导体膜分离。

主权项

一种半导体衬底的再加工方法，包括如下步骤：通过采用氢离子注入剥离法将H+离子注入到半导体衬底中，形成脆化层，其中绝缘膜设置在所述半导体衬底的周围；将所述半导体衬底结合到支撑衬底，两者之间插入绝缘膜；从所述半导体衬底分离半导体膜，其中所述分离之后的所述半导体衬底包括：所述脆化层的一部分；以及所述脆化层上的半导体层，通过第一蚀刻处理去除所述绝缘膜；以及通过使用包含氢氟酸、硝酸及醋酸的混合溶液的第二蚀刻处理去除所述脆化层及所述半导体层。