[发明专利]半导体衬底的再加工方法及SOI衬底的制造方法

权利要求书

1.一种半导体衬底的再加工方法，包括如下步骤：

通过采用氢离子注入剥离法将H⁺离子注入到半导体衬底中，形成脆化层，其中绝缘膜设置在所述半导体衬底的周围；

将所述半导体衬底结合到支撑衬底，两者之间插入绝缘膜；

从所述半导体衬底分离半导体膜，其中所述分离之后的所述半导体衬底包括：

所述脆化层的一部分；以及

所述脆化层上的半导体层，

通过第一蚀刻处理去除所述绝缘膜；以及

通过使用包含氢氟酸、硝酸及醋酸的混合溶液的第二蚀刻处理去除所述脆化层及所述半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中所述混合溶液具有如下获得的组成：通过将70重量％的硝酸的体积设定为97.7重量％的醋酸的体积的0.2倍以上且0.5倍以下，并设定为50重量％的氢氟酸的体积的1倍以上且10倍以下，还通过将所述50重量％的氢氟酸设定为所述97.7重量％的醋酸的体积的0.1倍以上且0.2倍以下。

3.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中以使所述混合溶液浸透到所述半导体层及所述脆化层的方式进行所述第二蚀刻处理。

4.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中在所述第二蚀刻处理之后对所述半导体衬底的表面进行抛光。

5.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中使用包含氢氟酸、氟化铵及表面活性剂的溶液进行所述第一蚀刻处理。

6.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中所述氢氟酸、硝酸和醋酸之间的体积比为1∶3∶10。

7.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中所述氢氟酸、硝酸和醋酸之间的体积比为1.5∶3∶10。

8.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中所述氢氟酸、硝酸和醋酸之间的体积比为2∶2∶10。

9.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中所述氢氟酸、硝酸和醋酸之间的体积比为1∶10∶20。

10.根据权利要求1所述的半导体衬底的再加工方法，

其中所述氢氟酸、硝酸和醋酸之间的体积比为1∶1∶10。

11.一种衬底的制造方法，包括如下步骤：

在半导体衬底上形成绝缘膜；

通过采用氢离子注入剥离法从所述半导体衬底的表面注入H⁺离子，形成脆化层；

将所述半导体衬底结合到支撑衬底，两者之间插入绝缘膜；

从所述半导体衬底分离半导体膜，其中所述分离之后的所述半导体衬底包括：

所述脆化层的一部分；以及

所述脆化层上的半导体层，

通过第一蚀刻处理去除所述绝缘膜；

通过使用包含氢氟酸、硝酸及醋酸的混合溶液的第二蚀刻处理去除所述脆化层的一部分及所述半导体层；以及

在所述分离之后对所述半导体衬底进行抛光。

12.根据权利要求11所述的衬底的制造方法，

其中所述混合溶液具有如下获得的组成：通过将70重量％的硝酸的体积设定为97.7重量％的醋酸的体积的0.2倍以上且0.5倍以下，并设定为50重量％的氢氟酸的体积的1倍以上且10倍以下，还通过将所述50重量％的氢氟酸体积设定为所述97.7重量％的醋酸的体积的0.1倍以上且0.2倍以下。

13.根据权利要求11所述的衬底的制造方法，

其中以使所述混合溶液浸透到所述半导体层及所述脆化层的方式进行所述第二蚀刻处理。

14.根据权利要求11所述的衬底的制造方法，

其中使用包含氢氟酸、氟化铵及表面活性剂的溶液进行所述第一蚀刻处理。