[发明专利]具有自对准单元结构的存储器装置有效
| 申请号： | 201080011567.9 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN102349154A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;迈克尔·P·瓦奥莱特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包含具有存储器装置的设备及方法，所述存储器装置具有耦合到存储器元件的二极管。每个二极管可形成于所述存储器装置的凹入部中。所述凹入部可具有多边形侧壁。所述二极管可包含形成于所述凹入部内的第一导电性类型(例如，n型)的第一材料及第二导电类型(例如，p型)的第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 单元 结构 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包括：凹入部，其包含多边形侧壁；二极管，其包含形成于所述凹入部内的第一导电性类型的第一材料及形成于所述凹入部内的第二导电类型的第二材料；及存储器元件，其耦合到所述二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080011567.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：叠层声学隔音板
- 下一篇：电子元件的焊接方法及焊接装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
