[发明专利]具有自对准单元结构的存储器装置

说明书

相关申请案交叉参考

本专利申请案主张2009年2月6日提出申请的第12/367,395号美国申请案的优先权，所述申请案以引用方式并入本文中。

背景技术

计算机及其它电子产品通常具有存储器装置，所述存储器装置具有用以存储数据及其它信息的众多存储器单元。通常使用各种制造工艺或步骤来形成常规存储器装置。举例来说，一个或一个以上工艺可形成所述装置的一个部分且一个或一个以上额外工艺可形成所述装置的另一部分。其它工艺还可形成将所述装置的所述部分连接在一起的特征。如果不仔细计划所述工艺，那么可出现装置缺陷或不良装置性能。

附图说明

图1展示根据本发明一实施例具有带有存储器单元的存储器阵列的存储器装置的框图。

图2展示根据本发明一实施例具有带有存储器单元的存储器阵列的存储器装置的部分示意图，所述存储器单元具有二极管及存储器元件。

图3展示根据本发明一实施例的存储器装置的部分三维(3D)图示。

图4展示图3的存储器装置在无其特征中的一些特征的情况下的视图。

图5到图16展示根据本发明一实施例形成存储器装置的工艺。

图17到图24展示根据本发明一实施例形成具有导电材料的存储器装置的工艺，所述导电材料形成于所述存储器装置的存储器单元的二极管之间。

图25到图29展示根据本发明一实施例形成具有凹入部的存储器装置的工艺，所述凹入部具有不同侧壁材料。

图30到图39展示根据本发明一实施例形成具有在二极管形成之前形成的外延硅的存储器装置的工艺。

图40到图49展示根据本发明一实施例在不形成外延硅以形成存储器装置的二极管的情况下形成所述存储器装置的工艺。

图50到图58展示根据本发明一实施例形成具有导电材料的存储器装置的工艺，所述导电材料同时形成于所述存储器装置的二极管上方及二极管之间。

图59展示根据本发明一实施例包含存储器单元的存储器装置的部分3D图示。

图60展示根据本发明一实施例包含存储器单元的另一存储器装置的部分3D图示。

具体实施方式

图1展示根据本发明一实施例具有带有存储器单元101的存储器阵列102的存储器装置100的框图。存储器单元101可与导电线104(例如，具有信号WL0到WLm的字线)及导电线106(例如，具有信号BL0到BLn的位线)一起布置成若干行及若干列。存储器装置100使用导电线104及导电线106来将信息传送到存储器单元101及从存储器单元101传送信息。行解码器107及列解码器108接收线109(例如，地址线)上的地址信号A0到AX以确定将存取哪些存储器单元101。读出放大器电路110操作以确定从存储器单元101读取的信息的值且将所述信息以信号形式提供到导电线106。读出放大器电路110还使用导电线106上的信号来确定待写入到存储器单元101的信息的值。存储器装置100包含用以在存储器阵列102与线(例如，数据线)105之间传送信息的电路112。线105上的信号DQ0到DQN表示从存储器单元101读取或写入到存储器单元101中的信息。线105可包含存储器装置100内的节点或存储器装置100可驻存于其中的封装上的接脚(或焊料球)。存储器装置100外部的其它装置(例如，存储器控制器或处理器)可经由线105、109及120与存储器装置100通信。

存储器装置100执行存储器操作，例如从存储器单元101读取信息的读取操作及将信息编程(例如，写入)到存储器单元101中的编程操作(有时称为写入操作)。存储器控制单元118基于线120上的控制信号来控制所述存储器操作。线120上的控制信号的实例包含一个或一个以上时钟信号及用以指示存储器装置100可执行哪一操作(例如，编程或读取操作)的其它信号。存储器装置100外部的其它装置(例如，处理器或存储器控制器)可控制线120上的控制信号的值。线120上的信号的组合的特定值可产生致使存储器装置100执行对应存储器操作(例如，编程或读取操作)的命令(例如，编程或读取命令)。