[发明专利]具有自对准单元结构的存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

凹入部，其包含多边形侧壁；

二极管，其包含形成于所述凹入部内的第一导电性类型的第一材料及形成于所述凹入部内的第二导电类型的第二材料；及

存储器元件，其耦合到所述二极管。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中第一及第二材料中的一者包含单晶硅。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器元件包含位于所述凹入部中的材料。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器元件包含硫属化合物材料。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述二极管及所述存储器元件串联耦合于第一导电线与第二导电线之间，且其中所述第一与第二导电线彼此垂直。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多边形侧壁包含：

第一侧壁部分；

第二侧壁部分，其垂直于所述第一侧壁部分；

第三侧壁部分，其垂直于所述第二侧壁部分；及

第四侧壁部分，其垂直于所述第三侧壁部分。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述第一、第二、第三及第四侧壁部分包含相同材料。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述第一及第三侧壁部分包含第一绝缘材料，且所述第二及第四侧壁部分包含第二绝缘材料。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第一材料包含氧化硅，且所述第二材料包含氮化硅。

10.一种设备，其包括：

二极管，其布置成若干行及若干列，所述二极管中的每一者包含第一导电性类型的第一材料及第二导电性类型的第二材料；

第一沟槽，其填充有第一绝缘材料，所述第一沟槽中的每一者位于所述行中的两者之间；及

第二沟槽，其填充有第二绝缘材料，所述第二沟槽中的每一者位于所述列中的两者之间，其中所述二极管中的至少一者的所述第一及第二材料接触所述第一及第二绝缘材料。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述二极管包含布置成所述行中的一者的二极管群组，且其中所述二极管群组中的每个二极管包含耦合到第一导电线的第一二极管端子及耦合到第二导电线的第二二极管端子。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一导电线垂直于所述第二导电线。

13.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括存储器元件，所述存储器元件中的每一者耦合于所述第一导电线与所述二极管群组中的一个二极管之间。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述存储器元件包含硫属化合物材料。

15.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一绝缘材料的厚度大于所述第二绝缘材料的厚度。

16.根据权利要求10所述的设备，其中所述第二沟槽中的至少一者包含耦合到导电材料的底部。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述导电材料包含钴与硅的组合。

18.一种方法，其包括：

将信号施加到存储器装置的导电线以存取所述存储器装置的存储器单元的存储器元件，所述存储器装置包含：

凹入部，其包含多边形侧壁；及

二极管，其耦合于所述导电线与所述存储器元件之间，所述二极管包含形成于所述凹入部内的第一导电性类型的第一材料及形成于所述凹入部内的第二导电类型的第二材料。

19.根据权利要求18所述的方法，其中在所述存储器装置的读取操作期间施加所述信号。

20.根据权利要求18所述的方法，其中在所述存储器装置的写入操作期间施加所述信号。

21.一种方法，其包括：

形成若干行及若干列的凹入部，所述凹入部中的每一者具有多边形开口，且由至少一种绝缘材料环绕；

在所述凹入部中形成二极管；及

形成存储器元件，使得所述存储器元件中的每一者耦合到所述二极管中的一者。

22.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述二极管包含在所述凹入部中的每一者的底部处的材料上方生长外延硅。