[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体光元件无效
| 申请号： | 201080001340.6 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN102124578A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 上野昌纪;善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;秋田胜史;住友隆道;足立真宽;德山慎司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种III族氮化物半导体光元件(11a)，包括：III族氮化物半导体基板(13)，具有与基准平面(Sc)成有限的角度的主面(13a)，基准平面(Sc)与c轴方向上延伸的基准轴(Cx)正交；和量子阱结构的活性层(17)，被设置于III族氮化物半导体基板(13)的主面(13a)上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层(28)及由III族氮化物半导体构成的多个势垒层(29)，主面(13a)显示半极性，活性层(17)具有1×1017cm-3以上且8×1017cm-3以下的氧浓度，多个势垒层(29)在与阱层(28)的III族氮化物半导体基板一侧的下部界面(28Sd)接触的上部界面附近区域(29u)含有浓度为1×1017cm-3以上且1×1019cm-3以下的氧以外的n型杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体光元件，其特征在于，包括：III族氮化物半导体基板，由III族氮化物半导体构成，并具有与基准平面成有限的角度的主面，上述基准平面与该III族氮化物半导体的c轴方向上延伸的基准轴正交；和量子阱结构的活性层，被设置于上述III族氮化物半导体基板的上述主面上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层和由III族氮化物半导体构成的多个势垒层，上述主面显示半极性，上述活性层为外延层，具有1×1017cm‑3以上且8×1017cm‑3以下的氧浓度，上述多个势垒层在与上述阱层的上述III族氮化物半导体基板一侧的界面接触的界面附近区域含有浓度为1×1017cm‑3以上且1×1019cm‑3以下的氧以外的n型杂质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080001340.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体光转换构造
- 下一篇：静电卡盘的使用极限判别方法
