[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体光元件

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

包括：III族氮化物半导体基板，由III族氮化物半导体构成，并具有与基准平面成有限的角度的主面，上述基准平面与该III族氮化物半导体的c轴方向上延伸的基准轴正交；和

量子阱结构的活性层，被设置于上述III族氮化物半导体基板的上述主面上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层和由III族氮化物半导体构成的多个势垒层，

上述主面显示半极性，

上述活性层为外延层，具有1×10¹⁷cm^-3以上且8×10¹⁷cm^-3以下的氧浓度，

上述多个势垒层在与上述阱层的上述III族氮化物半导体基板一侧的界面接触的界面附近区域含有浓度为1×10¹⁷cm^-3以上且1×10¹⁹cm^-3以下的氧以外的n型杂质。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述势垒层含有的上述n型杂质为硅、锗及锡中的至少1种。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述多个势垒层在与上述阱层的界面接触的界面附近区域含有浓度为1×10¹⁷cm^-3以上且1×10¹⁹cm^-3以下的上述氧以外的n型杂质。

4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述多个势垒层在其整个厚度方向上含有浓度为1×10¹⁷cm^-3以上且1×10¹⁹cm^-3以下的上述氧以外的n型杂质。

5.如权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述n型杂质的浓度为5×10¹⁷cm^-3以上。

6.如权利要求1至5中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述n型杂质的浓度为1×10¹⁸cm^-3以上。

7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

表示上述主面的法线方向的法线向量与表示上述基准轴的方向的基准向量所成的角度在10度以上且80度以下、及100度以上且170度以下的范围内。

8.如权利要求1至7中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述法线向量与上述基准向量所成的角度在63度以上且80度以下、及100度以上且117度以下的范围内。

9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述法线向量与上述基准向量所成的角度在71度以上且79度以下、及101度以上且109度以下的范围内。

10.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述法线向量是使上述基准向量绕上述III族氮化物半导体的a轴旋转而得到的方向。

11.如权利要求10所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述主面与a面所成的角度为87度以上且93度以下。

12.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述法线向量是使上述基准向量绕上述III族氮化物半导体的m轴旋转而得到的方向。

13.如权利要求12所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述主面与m面所成的角度为87度以上且93度以下。

14.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述主面为{20-21}面。

15.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体光元件，其特征在于，

上述主面为{20-2-1}面。