[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010623058.3 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102142425A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 上田佳孝;山田光一;和田淳;小林重人 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/528;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，可实现电子电路的小型化。MOS晶体管(20)具有形成为栅格状的栅电极(22)，被栅电极(22)包围的源区(23)及漏区(24)，沿栅电极(22)的栅格的一个方向配置且通过接触点连接源区(23)及漏区(24)的源极用金属布线(27)及漏极用金属布线(28)。源区(23)及漏区(24)分别被形成为在各金属布线的长度方向上具有长边的长方形状。源极用金属布线(27)及漏极用金属布线(28)在其长度方向上被形成为锯齿形状，分别与源极用接触点(25)及漏极用接触点(26)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有晶体管，该晶体管包括：形成为栅格状的栅电极，被上述栅电极包围的源区及漏区，及沿上述栅电极的栅格的一个方向配置且通过接触点与上述源区及上述漏区连接的金属布线；上述源区及上述漏区夹持上述栅电极相邻地配置；上述源区及上述漏区分别被形成为在上述金属布线的长度方向上具有长边的长方形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010623058.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水过滤口罩
- 下一篇：一种病床自动定位装置
