[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010623058.3 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102142425A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 上田佳孝;山田光一;和田淳;小林重人 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/528;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有晶体管，该晶体管包括：形成为栅格状的栅电极，被上述栅电极包围的源区及漏区，及沿上述栅电极的栅格的一个方向配置且通过接触点与上述源区及上述漏区连接的金属布线；上述源区及上述漏区夹持上述栅电极相邻地配置；
上述源区及上述漏区分别被形成为在上述金属布线的长度方向上具有长边的长方形状。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
形成有与在上述源区形成的源极用接触点连接的源极用金属布线，和与在上述漏区形成的漏极用接触点连接的漏极用金属布线；
上述源极用金属布线及上述漏极用金属布线在其长度方向上被形成为锯齿形状，分别与上述源极用接触点及上述漏极用接触点连接。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
上述源极用金属布线及上述漏极用金属布线分别重叠、配置在向其长度方向延伸的上述栅电极上。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，
上述源极用金属布线在其长度方向上具有相同的宽度，上述漏极用金属布线在其长度方向上具有相同的宽度。
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