[发明专利]图形化GaN衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201010617750.5 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102142487A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张国义;孙永健;贾传宇;陆羽;刘鹏;付星星;杨志坚;童玉珍;廉宗禺 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谭一兵 |
| 地址： | 523500 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在GaN衬底上制备图形的方法，可以大幅度提高LED芯片的内量子效率、出光效率和热导率。本发明在衬底GaN表面层，使用微纳米图形的掩膜、光刻技术、纳米压印技术或氧化铝图形转移技术生成图形模板，然后使用图形刻蚀技术，制备出能够实现稳定的微米及亚微米量级的有利于出光的图形结构。本发明的衬底可以大幅度提高LED芯片的出光效率和热导率，具有更优良的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 gan 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种图形化GaN衬底的制备方法，是在氮化镓衬底上制备出微纳米图形，作为生长衬底，其特征在于，所述方法包括如下步骤：①、提供一衬底，所述衬底是GaN单晶衬底，或是GaN/Al2O3、GaN/Si、GaN/SiC复合衬底，复合衬底的表面层是GaN面，清理后备用；②、在GaN表面层，使用微纳米图形的掩膜、光刻技术、纳米压印技术或氧化铝AAO图形转移技术生成图形；③、然后使用图形刻蚀技术，采用干法刻蚀ICP技术或湿法刻蚀技术，获得所需图形结构。
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