[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010599656.1 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102194935A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 崔炳均;李在拫 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种临界角增大的氮化物半导体发光器件及其制造方法。通过将基板的角部变圆来增大临界角，使得由于从基板内部产生并提取到外部的光的量增加而提高光提取效率。所述氮化物半导体发光器件包括：形成在基板上的缓冲层；形成在缓冲层上的包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；形成在第一导电半导体层上的第一电极；和形成在第二导电半导体层上的第二电极；其中所述基板具有透光性，并且所述基板的各个角部被变圆以具有预定曲率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，包括：形成在基板上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；形成在所述第一导电半导体层上的第一电极；和形成在所述第二导电半导体层上的第二电极；其中所述基板具有透光性，并且所述基板的各个角部被变圆以具有预定曲率。
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