[发明专利]具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法有效
| 申请号： | 201010278735.2 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101976660A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，金属接触孔贯穿层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与衬底层接触。这种绝缘体上硅衬底硅片的制作方法也一并提出。本发明所揭露的绝缘体上硅衬底硅片，在SOI衬底中形成金属接触孔，消除了氧化掩埋层对于热量的阻挡，增大SOI衬底的导热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 散热 结构 绝缘体 衬底 硅片 及其 制成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，所述绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，其特征是，所述具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，所述金属接触孔贯穿所述层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与所述衬底层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010278735.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
