[发明专利]具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法

权利要求书

1.一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，所述绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，其特征是，所述具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，所述金属接触孔贯穿所述层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与所述衬底层接触。

2.根据权利要求1所述的具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，其特征是，在所述层间介质层上还包括：

金属层，所述层间介质层是作为所述金属层与所述单晶硅顶层之间的隔离层，所述金属接触孔延伸贯穿所述层间介质层，与所述金属层接触。

3.根据权利要求1所述的具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，其特征是，所述单晶硅顶层中包括浅沟槽隔离，所述金属接触孔贯穿所述单晶硅顶层中的所述浅沟槽隔离。

4.根据权利要求1所述的具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，其特征是，所述金属接触孔的材料为钨。

5.根据权利要求1所述的具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，其特征是，所述金属接触孔的导热系数大于二氧化硅的导热系数。

6.一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片的制作方法，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，所述绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，其特征是，所述制作方法包括以下步骤：

自所述层间介质层打孔至所述衬底层；

在所述孔中沉积金属；以及

用化学研磨的方法去掉多余的金属。

7.根据权利要求6所述的具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片的制作方法，其特征是，在自所述层间介质层打孔至所述衬底层步骤之前，还包括：

在所述单晶硅顶层中制作浅沟槽隔离。

8.根据权利要求7所述的具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片的制作方法，其特征是，所述孔贯穿所述浅沟槽隔离。

9.根据权利要求6所述的具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片的制作方法，其特征是，所沉积的金属的材料为钨。

10.根据权利要求6所述的具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片的制作方法，其特征是，所沉积的金属的导热系数大于二氧化硅的导热系数。