[发明专利]高K栅介电层的制作方法及形成MOS晶体管的方法有效
| 申请号： | 201010275175.5 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102386079A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及高K栅介电层的制作方法及形成MOS晶体管的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电保护层，所述介电保护层中形成有栅极开口，所述栅极开口使得半导体衬底露出；在所述栅极开口中依次形成初始介电层与牺牲层，所述初始介电层与牺牲层保形覆盖栅极开口；在所述栅极开口中垂直注入金属离子，将栅极开口底部的初始介电层与牺牲层分别转变为高K介电层与合金层。本发明通过在向栅极开口内的初始介电层注入金属离子形成高K栅介电层，且所述金属离子的注入方向垂直于栅极开口底面，这使得栅极开口垂直侧壁的初始介电层不会形成具有较高介电系数的高K栅介电层，也就避免了在金属栅极两侧形成较大的寄生电容而影响器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅介电层 制作方法 形成 mos 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种高K栅介电层的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电保护层，所述介电保护层中形成有栅极开口，所述栅极开口使得半导体衬底露出；在所述栅极开口中依次形成初始介电层与牺牲层，所述初始介电层与牺牲层保形覆盖栅极开口；在所述栅极开口中垂直注入金属离子，将栅极开口底部的初始介电层与牺牲层分别转变为高K介电层与合金层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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