[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010265546.1 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102088034A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;许向华 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：在衬底上方配置以便相互接触的第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱；在所述衬底上方的配置于所述第一导电类型的第一阱接触所述第二导电类型的第二阱的界面中的第二导电类型的抗扩散区；和在所述衬底上方的配置成同时跨过所述第一导电类型的第一阱、所述第二导电类型的抗扩散区和所述第二导电类型的第二阱的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：在衬底上方配置以便相互接触的第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱；布置于第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱之间的第二导电类型的抗扩散区；和配置成同时跨过第一导电类型的第一阱、第二导电类型的抗扩散区和第二导电类型的第二阱的栅极电极。
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