[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010265546.1 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102088034A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;许向华 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
在衬底上方配置以便相互接触的第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱；
布置于第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱之间的第二导电类型的抗扩散区；和
配置成同时跨过第一导电类型的第一阱、第二导电类型的抗扩散区和第二导电类型的第二阱的栅极电极。
2.根据权利要求1的半导体装置，其中所述第二导电类型的抗扩散区被布置于第一导电类型的第一阱中以便与第一导电类型的第一阱接触第二导电类型的第二阱的界面接触。
3.根据权利要求1的半导体装置，其中所述第二导电类型的抗扩散区的掺杂浓度比第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱的掺杂浓度高。
4.根据权利要求1的半导体装置，还包括：
配置在所述衬底上方的装置隔离层；
在所述栅极电极的一侧的一端的配置在所述第一导电类型的第一阱上方的第二导电类型的源极区；和
配置在第二导电类型的第二阱上方并且与所述栅极电极的另一侧的一端间隔开预定距离的第二导电类型的漏极区。
5.根据权利要求4的半导体装置，其中所述第二导电类型的抗扩散区根据提供至所述第二导电类型的漏极区的电压而被完全耗尽。
6.根据权利要求4的半导体装置，其中所述装置隔离层布置于所述栅极电极和所述第二导电类型的漏极区之间并且部分重叠所述栅极电极的下部。
7.一种半导体装置，包括：
配置在衬底上方的第二导电类型的深阱；
配置在所述第二导电类型的深阱上方的第一导电类型的阱；
配置在所述第二导电类型的深阱中以便接触所述第一导电类型的阱的侧壁的第二导电类型的抗扩散区；和
在所述衬底上方的配置成同时跨过所述第一导电类型的阱、所述第二导电类型的抗扩散区和所述第二导电类型的深阱的栅极电极。
8.根据权利要求7的半导体装置，其中所述抗扩散区的掺杂浓度比所述第二导电类型的深阱和所述第一导电类型的阱的掺杂浓度高。
9.根据权利要求7的半导体装置，还包括：
配置在所述衬底上方的装置隔离层；
在所述栅极电极的一侧的一端的配置在所述第一导电类型的阱的上方的第二导电类型的源极区；和
配置在所述第二导电类型的深阱上方并且与所述栅极电极的另一侧的一端间隔开预定距离的第二导电类型的漏极区。
10.根据权利要求9的半导体装置，其中所述第二导电类型的抗扩散区根据提供至所述第二导电类型的漏极区的电压而被完全耗尽。
11.根据权利要求9的半导体装置，其中所述装置隔离层布置于所述栅极电极和所述第二导电类型的漏极区之间并且部分重叠所述栅极电极的下部。
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