[发明专利]用于MOS器件的块状接触塞有效
| 申请号： | 201010265499.0 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102024784A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孙诗平;张志豪;钟朝安;李宗霖;李忠儒;林经祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;熊须远 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构包括半导体衬底；栅极层叠件，上覆半导体衬底；栅极隔离件，在栅极层叠件的侧壁上；第一接触塞，具有接触栅极隔离件侧壁的内缘和与栅极层叠件的顶面相齐的顶面；以及第二接触塞，在第一接触塞的上方并接触第一接触塞。第二接触塞的截面积比第一接触塞的截面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mos 器件 块状 接触 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：半导体衬底；栅极层叠件，上覆所述半导体衬底；栅极隔离件，在所述栅极层叠件的侧壁上；第一接触塞，包括接触所述栅极隔离件的内缘和与所述栅极层叠件的顶面相齐的顶面；以及第二接触塞，在所述第一接触塞上方且接触所述第一接触塞，其中，所述第二接触塞的截面积比所述第一接触塞的截面积小。
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