[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种背照式传感器的隔绝感测元件及其制造方法。在一实施例中，上述半导体装置的制造方法包括提供一感测层，其具有一前表面和一后表面，且于上述感测层的上述前表面中形成多个前侧沟槽。上述方法可还包括将氧注入上述感测层中穿过上述前侧沟槽，且将注入的氧退火，以于上述感测层中形成多个第一氧化硅块状物，其中每一个上述第一氧化硅块状物设置大体上相邻于一各别的上述前侧沟槽，以形成一隔绝物。本发明可抑制光电子漏至相邻像素，且因而降低或大体上消除感测元件之间的电串音。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一感测层，其具有一前表面和一后表面；于该感测层的该前表面中形成多个前侧沟槽；将氧注入该感测层中穿过所述多个前侧沟槽；将注入的氧退火，以于该感测层中形成多个第一氧化硅块状物，其中每一个所述第一氧化硅块状物设置相邻于其中一个各别的所述前侧沟槽，以形成多个隔绝物；以及提供多个光传感器，每一个所述光传感器设置于两个所述隔绝物之间。