[发明专利]宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法

摘要

本发明涉及一种利用宽带隙半导体二极管作为相变存储器的选通管及方法，其特征在于所述的相变存储器器件单元是由一个宽带隙半导体二极管和一个可逆相变存储介质构成。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、击穿电场强度高以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作高速、高密度、抗辐射的电子器件，宽带隙半导体材料与具有高速、高缩微能力、具有天然抗辐射等性能的相变材料结合，集成出高速、高密度、低功耗、耐压、抗辐照等优异性能的相变存储单元，进而制备出高速、高密度、低功耗、抗辐射等优异性能的相变存储器。

主权项

一种利用宽带隙半导体二极管作为选通管的相变存储器器件单元，其特征在于(a)所述的相变存储器器件单元是由一个基于宽带隙半导体二极管和一个相变存储介质构成，其中宽带隙半导体二极管作为开关；(b)作为开关的宽带隙半导体二极管是由宽带隙半导体材料形成的p‑n结二极管或是由宽带隙半导体材料和金属材料形成的肖特基势垒二极管；(c)宽带隙半导体材料的禁带宽度Eg在2.0‑6.0eV之间；(d)存储单元中的宽带隙半导体二极管在下，相变存储介质在上，呈纵向排列结构，从而形成高密度的相变存储器件单元。