[发明专利]具有能够防止热扩散的电熔丝的半导体集成电路有效
| 申请号： | 201010237546.0 | 申请日： | 2010-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102142424A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 尹英熙;崔俊基;辛尚勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路。半导体集成电路包括：一对互连结构；熔丝，所述熔丝与一对互连结构相连接；以及一个或更多个散热图案，所述一个或更多个散热图案与一对互连结构相连接，并位于熔丝周围。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 能够 防止 扩散 电熔丝 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，包括：一对互连结构；熔丝，所述熔丝与所述一对互连结构相连接；以及一个或更多个散热图案，所述一个或更多个散热图案与所述一对互连结构相连接，并位于所述熔丝周围。
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