[发明专利]具有能够防止热扩散的电熔丝的半导体集成电路

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年1月29日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2010-0008693的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各个实施例总体上涉及半导体集成电路(IC)，更具体而言，涉及半导体IC的电熔丝结构。

背景技术

半导体IC包括熔丝，用以修复错误单元、储存芯片标识(ID)以及提供各种模式信号。

这样的熔丝可以是激光熔断型或电熔断型。

在辐射激光束时，由激光束熔断的熔丝可能会影响相邻的熔丝线。因此，熔丝需要与熔丝线之间间隔预定的或更大的距离。这样可能会降低高集成半导体电路中的布图效率。

在电熔断型熔丝中，当在熔丝连线上施加编程电流时，熔丝连线因电迁移(EM)效应和焦耳加热(Joule Heating)而熔断。这种电熔断型熔丝还可以在封装级之后使用，被称为电熔丝。

图1是现有的电熔丝的断裂状态的示意立体图。参见图1，电熔丝F与上导电层M1和下导电层M2相连接，且借助流经上导电层M1和下导电层M2之间的编程电流而断裂。

当电熔丝F断裂时，电熔丝F的断裂部分的温度可以升高至几千度。当达到这样的高温时，会向外部辐射大量的高温热量10。

所辐射的高温热量传递至相邻的元件而使在与熔丝相邻的位置处形成的半导体器件的特性发生改变。

发明内容

本发明的一个方面提供一种半导体集成电路，包括：一对互连结构；熔丝，所述熔丝与一对互连结构相连接；以及一个或更多个散热图案，所述一个或更多个散热图案与一对互连结构相连接并位于熔丝周围。

本发明的另一个方面提供一种半导体集成电路，包括：第一下互连结构，所述第一下互连结构具有预定的面积；第二下互连结构，所述第二下互连结构位于与第一下互连结构大致相同的平面上，并与第一下互连结构间隔预定的距离；第一上互连结构，所述第一上互连结构被配置为与第一下互连结构相重叠；第二上互连结构，所述第二上互连结构位于与第一上互连结构大致相同的平面上，与第一上互连结构间隔预定的距离，并被配置为与第二下互连结构相重叠；熔丝，所述熔丝与第一下互连结构和第二上互连结构相连接；第一组散热路径，所述第一组散热路径与第一下互连结构和第一上互连结构相连接，并位于熔丝周围；以及第二组散热路径，所述第二组散热路径与第二下互连结构和第二上互连结构相连接，并位于熔丝周围。

附图说明

包含于此并构成说明书一部分的附图表示与发明一致的各个实施例，并连同说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是现有的电熔丝的熔断的状态的示意立体图；

图2是根据发明的一个实施例的电熔丝结构的等效电路图；

图3是根据发明的一个实施例的电熔丝结构的平面图；

图4是沿图3的Ⅳ-Ⅳ’线截取的电熔丝结构的立体图；

图5是根据本发明一个实施例的电熔丝结构的平面图。

具体实施方式

参考以下结合附图而描述的实施例，本发明的优点和特点及其实现方法将变得明了。然而，本发明并不局限于以下所描述的示例性实施例，而是可以用各种不同的形式来实现。因此，提供示例性实施例是使本领域的技术人员能够全面地理解本发明的教导，并能够完整地告知本发明的范围，而示例性实施例只是由所附权利要求的范围来限定。在整个说明书中，相同的元件使用相同的附图标记。

图2为根据本发明的一个实施例的熔丝结构100。根据实施例的熔丝结构100包括与编程电压源Vp和驱动晶体管T相连接的电熔丝120。

多个散热路径130围绕电熔丝120。散热路径130的每一个也可以与编程电压源Vp和驱动晶体管T相连接。

驱动晶体管T与电熔丝120和接地端子Vss相连接，并由修复信号S驱动。

当修复信号S被激活时，驱动晶体管T导通并向电熔丝120施加大量的电流。于是电熔丝120借助由电流产生的热量而断裂。

然后，围绕电熔丝120的多个散热路径130缓解由电熔丝120断裂所产生的热量，并随后以降低的温度将余热向外部释放。

图3是电熔丝结构100的详图。

参见图3，电熔丝120可以与连接到驱动晶体管T的下互连结构110电连接，以及与连接到编程电压源Vp的上互连结构140电连接至。另外，图4表示沿图3的线Ⅳ-Ⅳ’截取的电熔丝结构的立体图。