[发明专利]具有能够防止热扩散的电熔丝的半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

一对互连结构；

熔丝，所述熔丝与所述一对互连结构相连接；以及

一个或更多个散热图案，所述一个或更多个散热图案与所述一对互连结构相连接，并位于所述熔丝周围。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述一个或更多个散热图案包括：

主散热图案，所述主散热图案的一端与所述熔丝相邻地设置，且另一端面对所述一对互连结构中的一个的边缘。

3.如权利要求2所述的半导体集成电路，其中，所述主散热图案具有至少弯曲了一次的部分。

4.如权利要求2所述的半导体集成电路，其中，所述一个或更多个散热图案还包括位于所述主散热图案周围的至少一个次散热图案。

5.如权利要求4所述的半导体集成电路，其中，所述至少一个次散热图案为条状。

6.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述一个或更多个散热图案中的至少一个包括围绕所述一对互连结构的边缘的环状散热图案。

7.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述一对互连结构中的一个包括第一互连结构单元和第二互连结构单元，所述第一互连结构单元具有突出部分，所述第二互连结构单元与所述第一互连结构单元间隔预定距离并具有容纳所述突出部分的凹陷部分。

8.如权利要求6所述的半导体集成电路，其中，所述熔丝与所述第一互连结构单元的所述突出部分相接触。

9.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述一对互连结构中的一个与编程电压源相连接，而另一个与接地端子相连接。

10.一种半导体集成电路，包括：

第一下互连结构，所述第一下互连结构具有预定的面积；

第二下互连结构，所述第二下互连结构位于与所述第一下互连结构大致相同的平面上，并与所述第一下互连结构间隔预定的距离；

第一上互连结构，所述第一上互连结构被配置为与所述第一下互连结构相重叠；

第二上互连结构，所述第二上互连结构位于与所述第一上互连结构大致相同的平面上，与所述第一上互连结构间隔预定的距离，并被配置为与所述第二下互连结构相重叠；

熔丝，所述熔丝与所述第一下互连结构和所述第二上互连结构相连接；

第一组散热路径，所述第一组散热路径与所述第一下互连结构和所述第一上互连结构相连接，并位于所述熔丝周围；以及

第二组散热路径，所述第二组散热路径与所述第二下互连结构和所述第二上互连结构相连接，并位于所述熔丝周围。

11.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述第一组散热路径和所述第二组散热路径分别包括多个散热图案，且构成所述第一组散热路径的多个散热图案的数量小于构成所述第二组散热路径的多个散热图案的数量。

12.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述第一组散热路径和第二组散热路径中的至少一个包括：

主散热图案，所述主散热图案的一端与所述熔丝相邻地设置，而另一端与所述互连结构的边缘相邻地设置，且所述主散热图案具有至少一个弯曲部分；以及

至少一个次散热图案，所述至少一个次散热图案位于所述主散热图案周围。

13.如权利要求12所述的半导体集成电路，其中，所述次散热图案具有条状结构。

14.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述第一下互连结构具有向所述第二下互连结构突出的突出部分，且所述第二下互连结构具有容纳所述突出部分的凹陷部分。

15.如权利要求14所述的半导体集成电路，其中，所述熔丝与所述第一下互连结构的所述突出部分相接触。

16.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述第一组散热路径还包括围绕所述第一上互连结构和所述第一下互连结构的边缘的环状图案。

17.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述第二组散热路径还包括围绕所述第二上互连结构和所述第二下互连结构的边缘的环状图案。