[发明专利]介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池无效
| 申请号： | 201010215793.0 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101872794A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 沈悦;吴贵芝;顾峰;李琳瑜;刘秀勇 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0392;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，包括：一位于顶部吸收偏向短波的高能太阳光的多带隙非晶硅太阳能电池；以及一位于底部吸收偏向长波的低能太阳光的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池；其中多带隙非晶硅太阳能电池和组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池通过一透明导电薄膜连接形成叠层结构。本发明的特征在于顶部的太阳能电池与底部的太阳能电池具有不同的光谱相应范围，可以最大程度的提高太阳能的利用，从而提高电池的光电转换效率。另外该叠层太阳能电池具有制作工艺简单、价格低、有利于大规模生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 介孔 zno 组装 半导体 量子 非晶硅多带隙叠层 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，其特征在于，包括：一位于顶部吸收偏向短波的高能太阳光的非晶硅多带隙太阳能电池；一位于底部吸收偏向长波的低能太阳光的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池；所述的非晶硅多带隙太阳能电池由最外层的透明衬底(101)，次外层的透明导电氧化物层(102)，以及里层的非晶硅半导体层(103)-(105)组成；所述的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池依次包括缓冲层(200)，组装半导体量子点的介孔ZnO层(201)，电解质(202)以及催化剂层(203)和最外层的透明衬底(204)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
