[发明专利]介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池无效
| 申请号： | 201010215793.0 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101872794A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 沈悦;吴贵芝;顾峰;李琳瑜;刘秀勇 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0392;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介孔 zno 组装 半导体 量子 非晶硅多带隙叠层 太阳能电池 | ||
1.一种介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，其特征在于，包括：一位于顶部吸收偏向短波的高能太阳光的非晶硅多带隙太阳能电池；一位于底部吸收偏向长波的低能太阳光的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池；
所述的非晶硅多带隙太阳能电池由最外层的透明衬底(101)，次外层的透明导电氧化物层(102)，以及里层的非晶硅半导体层(103)-(105)组成；
所述的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池依次包括缓冲层(200)，组装半导体量子点的介孔ZnO层(201)，电解质(202)以及催化剂层(203)和最外层的透明衬底(204)。
2.根据权利要求1所述的介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，其特征在于，所述的透明衬底(101)、(204)为导电玻璃基板，所述的透明导电氧化物层(102)为掺氟氧化锡，所述的非晶硅半导体层(103)-(105)分别为P型、I型、N型非晶硅薄膜；所述的缓冲层(200)为透明导电薄膜，选自氧化锌掺铝，或薄膜金，所述的组装半导体量子点的介孔ZnO层(201)为组装了CdSe或CdTe量子点的ZnO层，所述的电解质(202)为I-/I3-电解质，所述的催化剂层(203)为铂金催化剂，该催化剂真空磁控溅射于导电玻璃基板(204)上。
3.一种介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，其特征在于，包括：一位于顶部吸收偏向短波的高能太阳光的非晶硅多带隙太阳能电池；一位于底部吸收偏向长波的低能太阳光的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池；
所述的非晶硅多带隙太阳能电池由最外层的透明衬底(101)，次外层的透明导电氧化物层(102)，以及里层的非晶硅半导体层(103)-(105)组成；
所述的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池依次包括缓冲层(200)，组装半导体量子点的介孔ZnO层(201)，以及催化剂层(203)。
4.根据权利要求3所述的介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，其特征在于，所述的透明衬底(101)为导电玻璃基板，所述的透明导电氧化物层(102)为掺氟氧化锡，所述的非晶硅半导体层(103)-(105)分别为P型、I型、N型非晶硅薄膜；所述的缓冲层(200)为透明导电薄膜，选自氧化锌掺铝；所述的组装半导体量子点的介孔ZnO层(201)为组装了CdSe或CdTe量子点的ZnO层；所述的催化剂层(203)为通过真空磁控溅射的铂金催化剂，作为背反电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
