[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010204924.5 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102136489A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;黄健;马正焜;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 上海卓骋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海明成云知识产权代理有限公司 31232 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明中，通过在半导体基底上制做电场限制环和两个分层的电场极板的组合，使半导体器件不但能够耐受大电压而且能够在大电压下稳定可靠地工作。分层式电场极板有利于减小终端结构表面厚度，有利于降低制造成本。制造该半导体结构时，先制做电场限制环，再制做离基底近的电场极板，最后制做离基底远的电场极板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括半导体基底和该半导体基底表面上至少两组重复依次排列的单元；其中，每组单元包含：一个电场限制环或组合在一起的至少两个电场限制环，位于所述半导体基底表面；位于所述半导体基底表面上方的两个电场极板，这两个电场极板到所述半导体基底表面的平均距离不同；以及位于所述两个电场极板和所述半导体基底表面之间的隔离层。
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