[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括半导体基底和该半导体基底表面上至少两组重复依次排列的单元；其中，

每组单元包含：

一个电场限制环或组合在一起的至少两个电场限制环，位于所述半导体基底表面；

位于所述半导体基底表面上方的两个电场极板，这两个电场极板到所述半导体基底表面的平均距离不同；以及

位于所述两个电场极板和所述半导体基底表面之间的隔离层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述电场极板包括：位于两端的两个平行于所述半导体基底表面的平面，和位于中间连接这两个平面的一个斜面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

对于离所述半导体基底表面的平均距离远的电场极板，其中斜面与所述半导体基底表面的夹角在40度至60度之间；

对于离所述半导体基底表面的平均距离近的电场极板，其中斜面与所述半导体基底表面的夹角在10度至15度之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层的材料为硼磷硅玻璃、或者磷硅玻璃、或者硼磷硅玻璃和磷硅玻璃的叠加、或者热氧化层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述每组单元中，

对于离所述半导体基底表面的平均距离远的电场极板，其中

离所述半导体基底表面远的平面与所述半导体基底表面之间的隔离层的材料为磷硅玻璃，厚度为2微米到5微米；

离所述半导体基底表面近的平面与所述半导体基底表面之间的隔离层的材料为硼磷硅玻璃、或磷硅玻璃、或者硼磷硅玻璃和磷硅玻璃的叠加，厚度为1微米到3微米。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述每组单元中，

对于离所述半导体基底表面的平均距离近的电场极板，其中

离所述半导体基底表面远的平面与所述半导体基底表面之间的隔离层的材料为热氧化层，厚度为0.5微米到2微米；

离所述半导体基底表面近的平面与所述半导体基底表面之间的隔离层的材料为热氧化层，厚度为0.01微米到0.5微米。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述硼磷硅玻璃中硼的质量浓度为1％至10％；

所述磷硅玻璃中磷的质量浓度为1％至10％。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述每组单元中，电场限制环与两个电场极板以导电材料相连接。

9.一种半导体结构的制造方法，用于生成如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上制做电场限制环；

在所述半导体基底上制做到所述半导体基底表面平均距离近的第一电场极板；

在所述半导体基底上制做到所述半导体基底表面平均距离远的第二电场极板。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制做电场限制环的步骤进一步包括以下步骤：

制做所述第一电场极板的隔离层；

过光刻和腐蚀工艺形成电场限制环区域的开口；

对开口区域进行离子注入；

通过高温扩散形成电场限制环。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制做第一电场极板和制做第二电场极板的步骤中，包括以下子步骤：

沉积电场极板所需材料；

对沉积所得的电场极板材料进行光刻；

对所述电场极板材料进行湿法或干法腐蚀形成所需的电场极板结构。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述制做第一电场极板的步骤中，还包括以下子步骤：

制做第一电场极板的隔离层，

对第一电场极板的隔离层进行杂质注入，

对隔离层进行光刻，

对隔离层进行湿法腐蚀，形成第一电场极板中部的斜面；

所述制做第二电场极板的步骤中，还包括以下子步骤：

制做第二电场极板的隔离层，

对隔离层进行光刻，

对隔离层进行湿法腐蚀，形成第二电场极板中部的斜面。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述第一电场极板的隔离层使用热生长的方法制做；

所述第二电场极板的隔离层使用化学气相沉积的方法制做。