[发明专利]半导体存储器单元阵列以及半导体只读存储器单元阵列

摘要

一种半导体存储器单元阵列及半导体只读存储器单元阵列，该半导体存储器单元阵列包含一延伸连续有源区。第一以及第二传输晶体管形成于延伸连续有源区上且分别形成于半导体存储器单元阵列中的一列存储器单元的第一及第二相邻存储器单元的一部分。一隔离晶体管形成于第一以及第二传输晶体管之间的延伸连续有源区上并且被偏压于一关闭状态。第一以及第二字线分别耦接于第一以及第二传输晶体管的栅极，用以供应一读取电压。上述阵列包含一差动位线对，其包含第一以及第二位线，一第一逻辑值通过将传输晶体管连接至第一位线被编码至存储器单元以及一第二逻辑值通过将传输晶体管连接至第二位线被编码至存储器单元。本发明改善了OD层工艺范围。

主权项

一种半导体存储器单元阵列，包括：一延伸连续有源区；第一以及第二传输晶体管，其形成于上述延伸连续有源区上且分别为第一以及第二存储器单元的一部分，其中上述存储器单元为上述半导体存储器单元阵列中的一列存储器单元的相邻单元；一隔离晶体管，其形成于上述第一以及第二传输晶体管之间的上述延伸连续有源区并且偏压于一关闭状态；第一以及第二字线，其分别耦接于上述第一以及第二传输晶体管的栅极，用以供应一读取电压；以及一差动位线对，其包含第一以及第二位线、一第一逻辑值以及一第二逻辑值，其中上述第一逻辑值通过将上述传输晶体管连接至上述第一位线被编码至上述存储器单元以及上述第二逻辑值通过将上述传输晶体管连接至上述第二位线被编码至上述存储器单元。