[发明专利]生产半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201010193354.4 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101930909A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;B28D5/00;B24B37/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种生产半导体晶片的方法，包含：a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片。b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片的正面和背面为平面，而边缘区域为圆整倾斜表面。c)抛光半导体晶片的正面和背面，正面抛光包含使用不含固定在抛光垫上的磨料的抛光垫的化学-机械抛光；半导体晶片的背面抛光进行三步，每种情况下使用含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫，并用抛光压压在半导体晶片的背面上，在第一步中将不含固体的抛光剂引入到抛光垫和半导体晶片的背面之间，而在第二和第三步骤中引入含有磨料物质的抛光剂，在第一步和第二步中使用8-15psi的抛光压，在第三步中抛光压降至0.5-5psi。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种生产半导体晶片的方法，其包含：a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片，b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片包括在正面和背面上的平面，以及在边缘区域中的圆整倾斜表面，c)抛光半导体晶片的正面和背面，正面抛光包含使用不含固定在抛光垫上的磨料的抛光垫的化学 机械抛光；半导体晶片的背面抛光进行三步，每种情况下使用含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫，并用抛光压力压在半导体晶片的背面上，在第一步中将不含固体的抛光剂引入到抛光垫和半导体晶片的背面之间，而在第二和第三步骤中引入含有磨料物质的抛光剂，在第一步和第二步中使用8 15psi的抛光压，在第三步中抛光压降至0.5 5psi。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
