[发明专利]一种虚拟金属填充结构及带虚拟金属填充物的平面电感器无效
| 申请号： | 201010192379.2 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270625A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 程仁豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种虚拟金属填充结构，所述虚拟金属填充结构包括多层虚拟金属层，且其中每层虚拟金属层包括多个虚拟金属，所述每层虚拟金属层中的虚拟金属与相邻虚拟金属层中的虚拟金属交叉排列，从而使虚拟金属分布更均匀，降低了虚拟金属对集成电路性能的影响。同时，本发明还公开了一种带虚拟金属填充物的平面电感器，所述带虚拟金属填充物的平面电感器包括电感主体、与所述电感主体相连的电感绕线以及位于所述电感主体及电感绕线下方的虚拟金属填充物，所述虚拟金属填充物具有上述的虚拟金属填充结构，从而使平面电感器的电感区域下方的金属密度更均匀，降低了虚拟金属对平面电感器品质因子的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 虚拟 金属 填充 结构 填充物 平面 电感器 | ||
【主权项】：
一种虚拟金属填充结构，其特征在于，包括多层虚拟金属层，且其中每层虚拟金属层包括多个虚拟金属，所述每层虚拟金属层中的虚拟金属与相邻虚拟金属层中的虚拟金属交叉排列。
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