[发明专利]半导体器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010182901.9 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102254887A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘运龙;薛景星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;徐丁峰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件结构及其制造方法。所述半导体器件结构包括前端器件层结构，第一钝化层，铝垫层和第二钝化层。其中，第一钝化层包括第一薄膜层，所述第一薄膜层包括在前端器件层结构的上表面自下而上依次形成的氮化硅薄膜层、等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层和第一紫外氮化硅薄膜层；所述第二钝化层包括第二薄膜层，所述第二薄膜层包括位于所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面的第二紫外氮化硅薄膜层。本发明的半导体器件结构可以满足客户对一次性编程功能和再分布连线功能的双重需求，从而提高了客户满意度和产品的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：前端器件层结构，在所述前端器件层结构中具有露出其上表面的导线层；第一钝化层，所述第一钝化层具有贯穿所述第一钝化层的上表面和下表面的通孔，所述第一钝化层形成在所述前端器件层结构的上表面，且所述通孔位于所述导线层的上方；铝垫层，所述铝垫层位于所述通孔中和所述第一钝化层的上表面；和第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面；其中，所述第一钝化层包括第一薄膜层，所述第一薄膜层包括在所述前端器件层结构的上表面自下而上依次形成的氮化硅薄膜层、等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层和第一紫外氮化硅薄膜层；所述第二钝化层包括第二薄膜层，所述第二薄膜层包括位于所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面的第二紫外氮化硅薄膜层。
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