[发明专利]半导体元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010169915.7 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110714A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张立伟;朱鸣;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其形成方法，该半导体元件包含：半导体基板；栅极结构形成于基板上；侧壁间隔物形成于栅极结构两侧的侧壁上；源极及漏极形成于半导体基板中，位于栅极结构两侧，且具有第一型导电性；轻掺杂区形成于基板中，对准栅极结构的侧壁，且具有第一型导电性；以及阻挡区形成于半导体基板中并邻接漏极，且具有第二型导电性。上述阻挡区掺杂有第二型导电性的掺质，且第一型导电型与第二型导电性不同。本发明所形成的半导体元件具有高阻断电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一半导体基板；一栅极结构形成于该半导体基板上；一轻掺杂区形成于该半导体基板中，对准该栅极结构的侧壁，且具有第一型导电性；一源极及一漏极形成于该半导体基板中，位于该栅极结构两侧，且具有第一型导电性；一阻挡区形成于该半导体基板中，邻接该漏极，且具有第二型导电性，其中该阻挡区为一半导体材料，且该半导体材料与该半导体基板的组成不同。
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