[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体

摘要

本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体，包括：半导体基底，具有第一表面及相反的第二表面，导电型为第一导电型，且半导体基底形成漏极区；掺杂区，自第一表面向下延伸，导电型为第二导电型；源极区，位于掺杂区中，导电型为第一导电型；栅极，形成于第一表面上或埋于该第一表面内，且与半导体基底之间隔有栅极介电层；第一导电结构，位于半导体基底之上，具有第一端点，且与漏极区电性连接；第二导电结构，位于半导体基底之上，具有第二端点，且与源极区电性连接；第三导电结构，位于半导体基底之上，具有第三端点，且与栅极电性连接，其中第一端点、第二端点及第三端点大抵共平面。

主权项

一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一与该第一表面相反的第二表面，该半导体基底的导电型为一第一导电型，且该半导体基底形成一漏极区；一掺杂区，自该第一表面向下延伸，该掺杂区的导电型为一第二导电型；一源极区，位于该掺杂区中，该源极区的导电型为该第一导电型；一栅极，形成于该第一表面上或埋于该第一表面内，且与该半导体基底之间隔有一栅极介电层；一第一导电结构，位于该半导体基底之上，该第一导电结构具有一第一端点，且与该漏极区电性连接；一第二导电结构，位于该半导体基底之上，该第二导电结构具有一第二端点，且与该源极区电性连接；一第三导电结构，位于该半导体基底之上，该第三导电结构具有一第三端点，且与该栅极电性连接，其中该第一端点、该第二端点及该第三端点共平面；以及一保护层，位于该半导体基底与该第一端点、该第二端点、及该第三端点之间。