[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010143197.6 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101847618A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 笠原正树 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为一种半导体装置。本发明的目的在于提供一种具有能够发挥晶体管本来的特性的配线图案的第1配线层的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具有源极区域和漏极区域、第1配线层、以及第2配线层，所述源极区域和漏极区域在半导体基板的表面上延伸，彼此间具有规定的间隔而交替配置，所述第1配线层含有多条与该源极区域或者该漏极区域通过接触孔连接的指状配线，所述第2配线层通过导通孔与该第1配线层连接；所述第1配线层包含所述指状配线，所述指状配线的没有形成所述导通孔的导通孔非形成区域的配线宽度，比形成所述导通孔的导通孔形成区域的配线宽度宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，其具有：在半导体基板的表面上延伸、具有规定间隔而交替配置的源极区域和漏极区域；包含多条与该源极区域或该漏极区域通过接触孔连接的指状配线的第1配线层；与该第1配线层通过导通孔连接的第2配线层，所述第1配线层包含所述指状配线，所述指状配线中，没有形成所述导通孔的导通孔非形成区域的配线宽度比形成所述导通孔的导通孔形成区域的配线宽度宽。
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