[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010135782.1 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101840932A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 疋田智之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，实现一种高耐压MOS晶体管，该晶体管在能够实现泄漏电流的降低的同时，与现有技术相比进一步使元件尺寸缩小。在P型阱(10)上，隔着沟道区域(ch)，形成有包含漏极区域(12)和漏极侧漂移区域(7)的N型的第一杂质扩散区域、以及包含源极区域(12)和源极侧漂移区域(8)的N型的第二杂质扩散区域。此外，跨越上述第一杂质扩散区域的一部分上方、上述沟道区域的上方、以及上述第二杂质扩散区域的一部分上方，隔着栅极氧化膜(6)而形成有栅极电极(20)。在栅极电极(20)中，其被掺杂为N型，位于第一和第二杂质扩散区域的上方的部分的电极(20b)的杂质浓度，与位于上述沟道区域的上方的部分的电极(20a)的杂质浓度相比是低浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型的阱，在衬底上形成；与所述第一导电型不同的第二导电型的第一和第二杂质扩散区域，在所述阱上隔着沟道区域形成；以及栅极电极，跨越所述第一杂质扩散区域的一部分上方、所述沟道区域的上方、以及所述第二杂质扩散区域的一部分上方，隔着栅极氧化膜而形成，在所述栅极电极中，所述栅极电极被掺杂为所述第二导电型，位于所述第一和第二杂质扩散区域的上方的电极端部的杂质浓度，与位于所述沟道区域的上方的部分的杂质浓度相比是低浓度。
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