[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的阱，在衬底上形成；

与所述第一导电型不同的第二导电型的第一和第二杂质扩散区域，在所述阱上隔着沟道区域形成；以及

栅极电极，跨越所述第一杂质扩散区域的一部分上方、所述沟道区域的上方、以及所述第二杂质扩散区域的一部分上方，隔着栅极氧化膜而形成，

在所述栅极电极中，

所述栅极电极被掺杂为所述第二导电型，

位于所述第一和第二杂质扩散区域的上方的电极端部的杂质浓度，与位于所述沟道区域的上方的部分的杂质浓度相比是低浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述栅极电极中，从位于所述沟道区域的上方的部分起，朝向位于所述第一和第二杂质扩散区域的上方的电极端部，显现杂质浓度变为低浓度的浓度梯度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述栅极电极中，从位于所述沟道区域的上方的部分起，朝向位于所述第一和第二杂质扩散区域的上方的电极端部，跨越0.2～0.6μm的长度而具有所述浓度梯度。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述栅极电极中，位于所述第一和第二杂质扩散区域的上方的电极端部的杂质浓度，是位于所述沟道区域的上方的部分的杂质浓度的0.1倍以下。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一杂质扩散区域具有：所述第二导电型的源极侧漂移区域；和所述第二导电型的源极区域，在所述源极侧漂移区域上形成，与该源极侧漂移区域相比是高浓度，

所述第二杂质扩散区域具有：所述第二导电型的漏极侧漂移区域；和所述第二导电型的漏极区域，在所述漏极侧漂移区域上形成，与该漏极侧漂移区域相比是高浓度，

所述栅极电极，在被所述源极区域和所述漏极区域夹着的区域的上方中，至少重叠所述源极侧漂移区域的一部分和所述漏极侧偏移区域的一部分而形成。

6.一种半导体装置的制造方法，是权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

形成所述阱的工序；

在所述阱上，形成所述栅极氧化膜、以及在所述栅极氧化膜的上层形成栅极材料膜的工序；以及

第一离子注入工序，在上述工序之后，从所述栅极材料膜的外缘起，跨越规定的宽度在所述栅极材料膜的上方施加掩模，在至少使位于被所述掩模夹着的区域中的所述栅极材料膜的一部分、和所述外缘的外侧的所述阱表面露出的状态下，通过进行所述第二导电型的杂质离子的注入和退火，从而使所述栅极材料膜变化为所述栅极电极，并且在所述阱上形成所述第一和第二杂质扩散区域。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：第二离子注入工序，在形成所述阱之后，将比所述第一离子注入工序低浓度的所述第二导电型的杂质离子注入到所述阱上的隔离的规定区域，由此将源极侧漂移区域和漏极侧漂移区域隔离而形成，

在所述第二离子注入工序结束后，以位于所述源极侧漂移区域、所述漏极侧漂移区域、以及作为被两漂移区域夹着的所述阱区域的所述沟道区域的上方的方式，形成所述栅极氧化膜和所述栅极材料膜，

在所述第一离子注入工序中，在使所述源极侧漂移区域的一部分和所述漏极侧漂移区域的一部分露出的状态下，通过对比所述第二离子注入工序高浓度的所述第二导电型的杂质离子进行注入，从而在所述源极侧漂移区域内形成源极区域，在所述漏极侧漂移区域内形成漏极区域，形成包含所述源极区域和所述源极侧漂移区域的所述第一杂质扩散区域、以及包含所述漏极区域和所述漏极侧漂移区域的所述第二杂质扩散区域。