[发明专利]非易失性半导体存储装置及其复位方法有效
| 申请号： | 201010135679.7 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101840731A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 前岛洋;奥川雄纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;周春燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在短时间内能够执行复位操作且抑制了误置位的发生的非易失性半导体存储装置及其复位方法。该非易失性半导体存储装置具备：半导体基板；多个存储单元阵列MA，其层叠在该半导体基板上，且包括以相互交叉的方式形成的多条字线WL、多条位线BL以及配置于字线WL与位线BL的各交叉部分处且串联连接二极管Di和可变电阻元件VR而成的存储单元MC；以及控制电路CC，其选择驱动字线WL和位线BL。控制电路CC，执行将可变电阻元件VR的状态从低电阻状态形成为高电阻状态的复位操作。另外，控制电路CC，在执行复位操作时，在将施加在可变电阻元件VR上的脉冲电压升高至电压VRESET_pre之后，将其降低至低于该电压且高于接地电压的电压VRESET。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 复位 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：半导体基板；多个存储单元阵列，其层叠在该半导体基板上，且包括多条第一布线及多条第二布线以及存储单元，所述多条第一布线及多条第二布线以相互交叉的方式形成，所述存储单元配置在所述第一布线与所述第二布线的各交叉部分处且串联连接整流元件和可变电阻元件而成；以及控制电路，其选择驱动所述第一布线以及所述第二布线，其中，所述控制电路，执行将所述可变电阻元件的状态从低电阻状态形成为高电阻状态的复位操作，所述控制电路，在执行所述复位操作时，在将施加在所述可变电阻元件上的脉冲电压升高至第一电压之后，将其降低至低于所述第一电压且高于接地电压的第二电压。
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