[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010135175.5 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101826559A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郷户宏充;秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/34;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉;胡烨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少阈值电压的偏差，使电特性稳定。本发明的课题还在于减少断态电流。通过在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上层叠包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层，以氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层接触的方式形成薄膜晶体管，可以减少薄膜晶体管的阈值电压的偏差，使电特性稳定，还可以减少断态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层、所述栅电极层上的栅极绝缘层、所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层、所述氧化物半导体层上的包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层、以及所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层，其中，所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层具有非晶结构，且所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层与所述源电极层及所述漏电极层电连接。
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