[发明专利]用于半导体集成电路的自组装图样无效
| 申请号： | 201010128088.7 | 申请日： | 2010-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101950719A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李宗霖;万幸仁;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于半导体集成电路的自组装图样和制造半导体器件的方法，该方法包括提供衬底。在衬底之上形成材料层。在材料层之上形成聚合物层。纳米部件使用聚合物层的一部分而自组装。使用纳米部件对衬底进行图样化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 集成电路 组装 图样 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底之上形成材料层；在所述材料层之上形成聚合物层；使用所述聚合物层的一部分使纳米部件自组装；以及使用所述纳米部件对所述衬底进行图样化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
