[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010125521.1 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101834204A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 郑志昌;柳瑞兴;姚智文;段孝勤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置提供高崩溃电压和低开启电阻。该半导体装置包括：一基底；一埋藏n+层设置于该基底中；一n型外延层设置于该埋藏n+层之上；一p型阱设置于该n型外延层中；一源极n+区域设置于该p型阱中且一端连接至一源极接触；一第一绝缘层设置于该p型阱和该n型外延层的顶部；一栅极设置于该第一绝缘层的顶部；以及一金属电极自该埋藏n+层延伸至一漏极接触，其中该金属电极通过一第二绝缘层而与该n型外延层和该p型阱绝缘。本发明因为介电隔离(例如氧化物)而降低元件面积，并提高操作电压(例如于一实施例中，达到大于700V)，以及因为比硅更强的介电绝缘(例如氧化物)而得到更强健的崩溃电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一基底；一埋藏n+层，设置于该基底中；一n型外延层，设置于该埋藏n+层之上；一p型阱，设置于该n型外延层中；一源极n+区域，设置于该p型阱中且一端连接至一源极接触；一第一绝缘层，设置于该p型阱和该n型外延层的顶部；一栅极，设置于该第一绝缘层的顶部；以及一电极，自该埋藏n+层延伸至一漏极接触，其中该电极通过一第二绝缘层而与该n型外延层和该p型阱绝缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010125521.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率转换装置、功率调节器以及发电系统
- 下一篇：校正系统、校正方法与晶片盒
- 同类专利
- 专利分类
