[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010108017.0 申请日: 2010-01-28
公开(公告)号: CN101834148A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 能木孝男;木谷智之;东条启;菅谦太郎 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/482
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体装置的制造方法,包括如下工序:在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上,形成由导电体构成的凸部;在表面的多个半导体元件相互间形成沟;在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部;研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部,针对各半导体元件把半导体晶片分离;在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线;在多个半导体元件的背面上,直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层,形成第二引线;以及在多个半导体元件相互间切断密封部,把多个半导体元件相互分离。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,该半导体装置包括:半导体元件,该半导体元件具有:相互对置的第一面和第二面、和在上述第一面上设置的电极;第一外部电极,该第一外部电极,与上述半导体元件的上述第一面相对置,具有:与上述第一面大致平行的第一主面、与上述第一主面大致垂直的第一侧面、和向与上述第一主面垂直的方向突出且与在上述半导体元件的上述第一面上设置的电极连接的凸部;第二外部电极,该第二外部电极,与上述半导体元件的上述第二面相对置,具有:与上述第二面大致平行的第二主面、与上述第二主面大致垂直的第二侧面、和作为上述第二主面的相反侧的面且大小与上述第二主面实质上相同的相反面;以及绝缘体,覆盖上述半导体元件和上述第一外部电极的上述凸部;且把上述第一侧面和上述第二侧面作为安装面,上述半导体元件配置在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间,该制造方法的特征在于包括:在上述第一面的上述电极的每一个上,形成由导电体构成的上述凸部的工序,上述第一面的上述电极设置在形成于半导体晶片上的多个上述半导体元件的上述半导体晶片的表面侧;在上述表面的上述多个半导体元件相互间形成沟的工序;向上述凸部相互间的间隙和上述沟中填充绝缘体而形成密封部的工序;研磨上述半导体晶片的与上述表面相对置的背面直到露出上述密封部,针对各上述半导体元件把上述半导体晶片分离的工序;在上述凸部的每一个上形成由导电体构成且成为上述第一外部电极的一部分的第一引线的工序;在上述多个半导体元件的上述背面上,直接形成作为成为上述第二外部电极的第二引线的导电材料层,形成上述第二引线的工序;以及在上述多个半导体元件相互间切断上述密封部,把上述多个半导体元件相互分离的工序。
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