[发明专利]复合埋入式元件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010001426.0 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102117782A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 林贤杰;张腾宇 | 申请（专利权）人： | 南亚电路板股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L21/50;H01L21/58 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合埋入式元件结构及其制造方法。复合埋入式元件结构包括至少两核心基板构成的一复合基板结构，至少两核心基板之间是通过一粘结层结合。一第一开口于一上层核心基板中，及一第二开口于一下层核心基板中，其中该第一开口大于该第二开口构成一倒凸字型空间。一芯片具有第一组电性接触垫，固定于至少两绝缘材料叠层上，并镶入该倒凸字型空间，其中该芯片埋入该第二开口中，并与该下层核心基板之间具有一空隙。多个导盲孔穿透至少两材料叠层，对应并电性连接多个电性接触垫，以及一绝缘层设置于该复合基板结构上，且覆盖多个导盲孔与至少两绝缘材料叠层上。本发明的结构可承受应力增减，降低基板因应力变化所产生的形变。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 埋入 元件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复合埋入式元件结构，包括：至少两核心基板构成的一复合基板结构，所述至少两核心基板之间是通过一粘结层结合；一第一开口于一上层核心基板中，及一第二开口于一下层核心基板中，其中该第一开口大于该第二开口构成一倒凸字型空间；一芯片具有第一组电性接触垫，固定于至少两绝缘材料叠层上，并镶入该倒凸字型空间，其中该芯片埋入该第二开口中，并与该下层核心基板之间具有一空隙；多个导盲孔穿透所述至少两材料叠层，对应并电性连接所述多个电性接触垫；以及一绝缘层设置于该复合基板结构上，且覆盖所述多个导盲孔与所述至少两绝缘材料叠层上。
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