[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200980156596.1 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102318047A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 引田正洋;田中健一郎;上田哲三 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体装置的制造方法中，首先在基板(101)上依次外延生长第1氮化物半导体层(103)、第2氮化物半导体层(104)和p型第3半导体层(105)。然后，选择性地除去第3半导体层(105)。接着，在第2氮化物半导体层(104)上外延生长第4氮化物半导体层(106)。然后，在第3半导体层(105)上形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：工序(a)，在基板上依次外延生长第1氮化物半导体层、和带隙能量大于该第1氮化物半导体层的第2氮化物半导体层；工序(b)，在所述第2氮化物半导体层上，外延生长p型第3半导体层；工序(c)，选择性地除去所述第3半导体层；工序(d)，在所述工序(c)之后，在第2氮化物半导体层上，外延生长第4氮化物半导体层；和工序(e)，在所述第3半导体层上形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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