[发明专利]Ⅲ族氮化物衬底、包含其的半导体设备及制造经表面处理的Ⅲ族氮化物衬底的方法有效
| 申请号： | 200980154114.9 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102272362A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 苏卉;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明一实施方式涉及的III族氮化物衬底具有表面层。该表面层含有3at.％～25at.％的碳，并且含有5×1010原子/cm2～200×1010原子/cm2的p型金属元素。该III族氮化物衬底成为具有稳定表面的III族氮化物衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 衬底 包含 半导体设备 制造 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物衬底，其中，具有表面层，上述表面层含有3at.％～25at.％的碳，并且含有5×1010原子/cm2～200×1010原子/cm2的p型金属元素。
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